SAL601负性电子束抗蚀剂纳米级集成电路加工

摘要：

讨论了采用SAL601负性化学放大电子束抗蚀剂进行电子束曝光应用于纳米级集成电路加工的实验方法与工艺条件.经过大量实验总结,通过变剂量模型对电子束曝光中电子散射参数进行提取,应用于邻近效应校正软件,针对集成电路曝光图形进行邻近效应校正.校正后的曝光图形经过曝光实验确定显影时间及曝光剂量,最终得到重复性良好的,栅条线宽为70nm的集成电路曝光图形.

关键词： 抗蚀剂 电子束 集成电路 电路加工 电子散射 曝光剂量

作者: 王云翔 刘明 陈宝钦 徐秋霞

作者单位: 中国科学院微电子中心微细加工与纳米技术研究室,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国微米/纳米第六届学术年会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 167-169

在线出版日期: 2003-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）