红外发光显微镜EMMI及其在集成电路失效分析中的应用

摘要：

随着超大规模集成电路(VLSI)的发展，半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小，已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微技术(Emission Microscopy，EMMI)利用了IC器件中大多数缺陷都呈现微弱的红外发光现象，能够迅速准确地定位失效点，使得它成为现今对IC进行失效缺陷定位的有力工具。本文将介绍EMMI技术所利用到的半导体发光机理、EMMI仪器的基本结构、主要部件及具体技术特点，并通过对两个IC失效样品的实际分析案例，介绍EMMI及其补充技术——激光束诱导电阻率变化测试(Optical Beam InducedResistance Change，OBIRCH)在IC失效分析中的具体应用。

关键词： 超大规模集成电路 IC失效分析 红外发光显微镜 OBIRCH EMMI仪器

作者: 张滨海 方培源 王家楫

作者单位: 复旦大学材料科学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五次华北五省市电子显微学研讨会暨第六届全国实验室协作服务交流会

会议地点: 武夷山

会议语种:中文

页码: 25-33

在线出版日期: 2008-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）