利用电子束蒸发制备铝隧道结工艺研究
本文采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(A1)薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成，超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)。当A1薄膜厚度大于500埃时，超导转变温度Tc=1.2K。电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好，具有较高的结晶质量，为制备Al超导隧道结奠定了良好基础。本文对小面积的A1超导隧道结工艺进行了研究，该超导隧道结两层的超导体材料为A1薄膜，中间势垒层材料为三氧化二铝(Al2O3)。其中Al薄膜利用电子束蒸发制备，势垒层通过直接氧化AL薄膜表面实现，该工艺和采用直接蒸发氧化物薄膜工艺相比不仅简单而且能有效防止势垒层不连续造成的弱连接。
电子束蒸发法 制备工艺 超导铝薄膜 铝超导隧道结
张静 许伟伟 昌路 吉争鸣 陆殷华 陈健 吴培亨
南京大学 电子科学与工程系超导电子学研究所,南京 210093
国内会议
大连
中文
59-64
2008-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）