光电耦合器件的辐射效应及表征
随着光电子器件在辐射领域的广泛应用，对其辐照研究越来越多。为了研究光电耦合器辐照效应并寻找其损伤表征参量，本文分析了光电耦合器件的电参数变化，并提出了其新的损伤表征参量—噪声无损检测参量。实验结果分析表明，随着辐射增强，光电耦合器件的电流传输比(CTR)下降，集发饱和压降(VCE(sat))上升，电压噪声功率谱密度(SV(f))增加，对于中子辐照，器件噪声中出现明显的爆裂噪声。噪声参量比电参量更能敏感，真实地反映光电耦合器件的辐照损伤。噪声参数可作为光电耦合器件辐照的新的可靠性表征参量。
光电耦合器器件 辐射效应 电参数 噪声功率谱 可靠性表征
李应辉 陈春霞
电子科技大学光电信息学院，四川成都610054；重庆光电技术研究所，重庆400060
国内会议
中国兵工学会第十四届测试技术年会暨中国高等教育学会第二届仪器科学及测控技术年会
吉林延吉
中文
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2008-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）