MEMS高g值加速度传感器封装技术研究

摘要：

本文以一种自制的四梁结构压阻式高g值MEMS加速度传感器芯片的封装为研究对象，从模态及静态角度分析了封装对高g值加速度计的影响，并对封装过程中芯片粘结工艺产生的残余应力进行了热应力仿真分析，最后通过拉曼测试进行验证。结果表明，封装对高g值加速度计的前三阶固有频率影响较小；对三种常用材料而言，不锈钢材料更适合作为封装材料；同时，研究表明，封装会降低结构的灵敏度，这与封装材料及粘结材料的杨氏模量有关；封装中，芯片粘结工艺会产生较大的残余应力，温度固化过程热残余应力的仿真可以作为器件设计及封装设计的参考依据。

关键词： 高g值加速度传感器 MEMS 芯片封装 有限元分析 残余应力

作者: 张琼 石云波 祁晓瑾 李珺泓 刘俊

作者单位: 电子测试技术国家重点实验室，中北大学，山西，太原030051;仪器科学与动态测试教育部重点实验室，中北大学，山西，太原030051

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国兵工学会第十四届测试技术年会暨中国高等教育学会第二届仪器科学及测控技术年会

会议地点: 吉林延吉

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2008-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）