InP基InGaAlAs/InGaAlAsSb应变量子阱激光器的子带跃迁计算

摘要：

采用有效质量模型下的4×4Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。求得了C1-HH1跃迁波长随In组分及阱宽的变化关系，并采用力学平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明，在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分和阱宽，在InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器中能够实现1.6～2.5μm近中红外波段的激射波长。

关键词： 应变量子阱 锑化物 激光器 量子阱结构 结构设计 材料生长

作者: 金哲军 刘国军 李占国 李梅

作者单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，吉林长春 130022

会议类型: 国内会议

会议名称: 2008”激光技术论坛

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2008-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）