离子注入制备Ge半导体纳米晶及其光学性能研究

摘要：

石英玻璃在室温下注入能量为56 keV、注量为1×1017 cm-2的Ge＋离子并退火到 900℃。采用X射线光电子能谱(XPS)，透射电子显微镜(TEM)，吸收光谱和荧光光谱对样品中Ge元素的存在形式及样品的光学性能进行分析表征。结果表明，注入态样品中有Ge纳米晶生成，Ge以Ge、GeO和GeO2形式存在，600℃退火后Ge主要以GeO和GeO2的形式存在。注入态样品在紫外－可见光区有较强吸收，但无明显的吸收峰，600℃退火后，样品在240nm处出现一个紫外吸收峰。退火前样品在紫外光区没有荧光发射，300℃退火后，样品在292和388nm有两个荧光峰；500℃退火后，两个荧光峰强度最大，700℃退火后，两个紫外荧光峰消失。紫外吸收峰和荧光峰都是由GeO色心引起的。

关键词： 离子注入 吸收光谱 荧光光谱 半导体纳米晶 光学性能 石英玻璃

作者: 陈美艳 陈庆川

作者单位: 核工业西南物理研究院,610041

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十二届电子束离子束学术年会、第九届电子束焊接学术交流会、第十一届离子源学术交流会、高能束加工技术研讨会、第十届粒子加速器学术交流会暨荷电粒子源、粒子束会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）