离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜

摘要：

自行设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置，并在Si(111)衬底上制备了 AlN 薄膜。用X 射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN 薄膜的结构、形貌和成分。在最佳实验条件下制备的AlN 薄膜具有(002)晶向的强衍射峰和相对较弱的(100)衍射峰，AlN(002)的衍射峰半高宽在612～648 弧秒之间，气体流量、衬底偏压等沉积参数对薄膜的结构有明显的影响。

关键词： 中频磁控溅射 阳极层离子源 薄膜结构 氮化铝

作者: 任克飞 阴明利 邹长伟 付德君

作者单位: 武汉大学加速器实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十二届电子束离子束学术年会、第九届电子束焊接学术交流会、第十一届离子源学术交流会、高能束加工技术研讨会、第十届粒子加速器学术交流会暨荷电粒子源、粒子束会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）