基台脉冲负偏压对沉积类金刚石薄膜结构和性能的影响
在不同的基台脉冲负偏压下，利用微波-ECR等离子体化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜，利用傅立叶变换红外吸收光谱和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了表征，最后对薄膜的摩擦系数进行了测试。结果表明：制备的薄膜具有典型的含H 类金刚石结构特征，薄膜致密均匀，表面粗糙度很小。随着负偏压的增大，红外光谱中 2800cm-1～3000cm-1 波段的C-H 伸缩振动吸收峰的强度先升高后降低，并在负偏压为200V时达到最大；薄膜的摩擦系数而是先降低再升高，在负偏压为200V时达到最小。
类金刚石薄膜 脉冲负偏压 等离子体 化学气相沉积 单晶硅
桑利军 陈强
北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室,北京大兴,102600
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2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）