强流RFQ加速器注入器的研究进展

摘要：

用于中子照相的2MeV RFQ加速器要求注入器提供50mA@50keV的脉冲D+离子束，束流占空比为1/10，发射度0.2π.mm.mrad，α=1.93，β=5.16cm/rad。为实现注入器的优化设计，我们建设了用于研究2.45GHz的永磁微波离子源特性的离子源实验台(短台)和用于研究束流输运的低能束流输运线(LEBT)实验台(长台)。两个实验台均具备束流测量、发射度研究和离子比分析等功能。除此之外，LEBT还可以研究束流输运效率。当微波功率小于450W时，微波源引出氢离子流的总流强大于80mA，质子比好于90％。束流的归一化均方根发射度约为0.2～0.3π.mm.mrad。利用该台还研究了源室的尺度和放电室内衬材料对放电的影响，为源体的优化提供了依据。LEBT实验台使用了一个半包围结构螺线管磁透镜，束流传输效率大于80％。

关键词： 注入器 发射度 传输效率 微波离子源 中子照相 加速器

作者: 彭士香 郭之虞 张萌 赵捷 徐蓉 任海涛 吕鹏南 宋执中 于金祥 袁忠喜

作者单位: 北京大学物理学院重离子物理研究所,核物理与核技术国家重点实验室,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十二届电子束离子束学术年会、第九届电子束焊接学术交流会、第十一届离子源学术交流会、高能束加工技术研讨会、第十届粒子加速器学术交流会暨荷电粒子源、粒子束会议

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2008-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）