非挥发相变存储器基础研究
随着移动通讯、存储卡和英特网的高速发展，对存储器的存储密度、读写速度、功耗和成本提出了越米越高的要求。存储器可以分为挥发型和非挥发型两种。所谓非挥发型，即在断电的情况下仍然能够保存数据。目前商用非挥发存储器的主流技术是基于浮栅的“闪存”技术(FLASH memory)。 本文介绍了“闪存”技术遇到的问题，分析了降低擦除电流的主要手段，对改变存储介质的性能和实现多态存储进行了探索，指出采用Si-Sb-Te薄膜作为存储介质可以显著降低器件的RESET电流和功耗。
非挥发存储器 闪存技术 存储介质
蔡炳初
上海交通大学 上海 200030
国内会议
昆明
中文
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2008-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）