会议专题

超H<,2>PECVD制备μc-SiGe:H、μc-Si:H薄膜的微结构及输运特性

PECVD H薄膜 微结构 输运特性

黄少云 石建军 徐骏 黄信凡 陈坤基

南京大学物理系

国内会议

第十二届全国半导体物理学术会议

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53-53

1999-10-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)