PECVD工艺研究

研究了PECVD设备,并用此设备进行了SiO〈,2〉和Si〈,3〉N〈,4〉淀积工艺研究,取得了大面积均匀性≤±1℅的结果,除此之外还对PECVD的其它应用进行了初步探索。
PECVD 淀积
韩阶平 刘辉 魏珂 田如江
院微电子中心(北京)
国内会议
长沙
中文
447~448
1999-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
PECVD 淀积
韩阶平 刘辉 魏珂 田如江
院微电子中心(北京)
国内会议
长沙
中文
447~448
1999-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)