ＰＥＣＶＤ工艺研究

摘要：

研究了ＰＥＣＶＤ设备，并用此设备进行了ＳｉＯ〈，２〉和Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉淀积工艺研究，取得了大面积均匀性≤±１℅的结果，除此之外还对ＰＥＣＶＤ的其它应用进行了初步探索。

关键词： ＰＥＣＶＤ 淀积

作者: 韩阶平 刘辉 魏珂 田如江

作者单位: 院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 447～448

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）