会议专题

PECVD工艺研究

研究了PECVD设备,并用此设备进行了SiO〈,2〉和Si〈,3〉N〈,4〉淀积工艺研究,取得了大面积均匀性≤±1℅的结果,除此之外还对PECVD的其它应用进行了初步探索。

PECVD 淀积

韩阶平 刘辉 魏珂 田如江

院微电子中心(北京)

国内会议

第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

长沙

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447~448

1999-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)