PECVD SiO<,2>/n-GaNMOS结构高频C-V特性

关键词： PECVD SiO<,2>/n-GaNMOS结构 高频特性

作者: 陈鹏 张荣 周玉刚 罗志云 陈志忠 谢世勇 袁晓利 沈波 江若琏

作者单位: 南京大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体物理学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 98-98

在线出版日期: 1999-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）