钛掺杂再结晶石墨导电性及其微观结构的研究
研究了不同钛掺杂量的再结晶石墨的电阻率与微观结构，以探讨掺杂组元对材料导电性能的影响。实验结果表明，与相同工艺条件下制得的纯石墨相比，钛掺杂再结晶石墨具有高密、高石墨化程度以及极低的电阻率的特点。微观结构分析表明，钛对材料的石墨化过程中具有催化作用，掺杂石墨材料中钛掺杂量对材料的石墨化程度有很大影响：少量钛掺杂量即可使材料达到高的石墨化程度，过多钛掺杂量不利于其电阻率的降低。分析表明钛元素在材料中是以碳化钛形式存在，但在制备过程中，有少量钛逸失，从而在材料表面形成孔隙，而这些对材料的性能有不利的影响。
电阻率 掺杂石墨 微观结构
张光晋 郭全贵 刘占军 刘朗
中国科学院山西煤炭化学研究所(太原)
国内会议
西安
中文
415-420
2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）