通过硅片后向进行90纳米铜制程器件的设计ECO验证
电路编辑对于将集成电路投入到市场是非常重要的。虽然在EDA工具方面有很多的投资，器件通常在第一次都不能正常工作。为了帮助集成电路更加成功，IP核通常在测试器件上通过一些”穿梭往返”程序进行预验证。这是有一定帮助的，但是器件通常还是不能正常工作。这其中的原因是器件的复杂性在每次工艺改进后都显著的增加。在不同的情况下设计和工艺相互产生负面的影响。此外每种工艺下用于光罩加工和工具的成本都有所增加。为了降低光罩成本，有几种方法可以采用,然而FIB电路编辑仍然是最有效的方法，因为它通过对编辑过的芯片进行测试验证提供了设计ECO的真实证据。 本文将通过在90nm铜器件硅片上的后向编辑集中讨论具体实例。非常重要的是编辑的价值随着金属层数的降低不断地增加。这篇论文不仅是关于编辑过程的指南，还讲述了如何决策以获得较高的成功率。对于这个案例学习，一种倒贴片器件被编辑证明ECO,这种方法被认为是很成功的。然后编辑被要求用于更多的器件并将编辑后的器件交付客户使他们能够在完成芯片重加工之前开始为这种新处理器开发软件。
电路编辑 集成电路 器件测试 铜器件硅片 后向编辑 芯片重加工
C-C Tsao T-T Miau R Jain T Lundquist P Vedagarbha
国内会议
上海
中文
293-298
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）