SOI技术的发展动向

摘要：

本文分析了SOI技术国内外发展动向，结合我国的实际情况，提出了研究、开发SOI技术的两方面内容：8-12英寸SOI圆片产业化；SOI基应变硅技术。

关键词： 圆片产业化 应变硅 集成电路

作者: 王曦 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;上海新傲科技有限公司，上海 201821

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届中国国际集成电路研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 223-226

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）