以網印法製備奈米碳管冷陰極之電子場發射陣列
奈米碳管具有优良之电子场发射特性,利用网印法制备奈米碳管电子场发射体具有低成本、制程快和大面积制作等优点,因而使场发射平面显示器的未来发展颇受看好,但网印法有电子发射不均的严重缺点,因此解决这个问题将有助於大面积,低价格平面显示器的制作。本实验发现将场发射源材料阵列化,可有效解决电子发射分布不均的现象,且可提升场发射电流,经二极式场发射量测结果,阵列化後的电流密度由1.7~3.8 mA/cm2增加至~8 mA/cm2,而起始电场由3.0~3.6V/μm降至1.3~1.8V/μm,这是由於发射源几何结构上的变化造成电场更均匀的分布所产生的效果,对於较低阶的显示器,可用此法达到均匀性的要求。
奈米碳管 场发射 纲印法 平面显示器
蔡宗岩 戴念華 林諭男
清華大學材料科學工程學系 清華大學材料科學工程學系 清華大學材料科學中心 清華大學材料科學中心
国内会议
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13-16
2004-09-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)