影響奈米碳管場發射的幾何參數和其控制方法
本论文针对奈米碳管在场发射电子源之应用，简要回顾奈米碳管的几何参数对场发射特性的影响，并探讨触媒热分解化学气相沈积制程中对碳管直径、长度、密度和垂直性控制的制程参数和方法.其中尤其是使用阳极处理制作孔性矽基板对触媒前处理和碳管成长的控制方法，研究结果显示相对於平面矽基扳，确有显着的差异.在垂直性成长的控制方面，使用氨氯混合碳源气体甲烷，及控制两者的流量比，有非常显着的影响；本论文也将讨论在上述制程中控制碳管垂直成长的机制.
纳米碳管 场发射 化学气相沉积 制程控制
蔡春鴻 莊鎮宇 簡逸朋 蘇心芳 林春佐 李威養
國立清華大學工程舆系統科學系
国内会议
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5-9
2004-09-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）