基片温度对电子束蒸发沉积的ZnO:Al膜性能的影响

摘要：

使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及调XRD测试分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明，基片温度影响膜的载流子浓度、迁移率以及膜的结晶程度。在基片温度为200℃附近沉积的膜具有高的透光率和低的电阻率，是一个最佳温区。

关键词： 电子束蒸发沉积 ZnO Al膜 基片温度

作者: 葛水兵 程珊华 宁兆元 沈明荣 甘肇强

作者单位: 大学薄膜材料实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 1034～1035

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）