基于电子束探测技术的VLSI路径延时故障测试方法
电子束探测EB-P (Electron Beam Probe)技术广泛地应用于设计查错、设计验证、失效分析以及成品率提高等方面。该文讨论将EB-P技术应用于路径延时故障的测试。该文首先用EB-P的工作原理和实验结果说明了用EB-P测量路径延时的可行性。随后讨论了一种将EB-P用作测试点的测试点插入技术。EB-P作为一种仅具可观性的测试点，较之于既可测又可观的测试点同样具有减少需实测路径延时故障数目，消除不可测路径延时邦联的作用。此外，用EB-P作为测试点，还具有不会增加路径的延时、不用改动改动电路的物理结构、不会增加芯片面积、不需要多个时钟等优点。该文对此作了举例说明。
电子束探测 路径延时故障
吴齐发 孙义和
清华大学微电子学研究所(北京)
国内会议
北京
中文
45～50
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）