电子束纳米图形曝光邻近效应校正技术

摘要：

该文介绍采和高斯束电子束曝光系统实现纳米结构图形电子束直写的关键技术－电子束邻近效应校正技术。重点介绍电子束在抗蚀剂膜层及基片衬底中的前散射和背散射电子对纳米结构图形加工的影响、电子束散射轨迹蒙特卡罗模拟技术、邻近效应校正技术及电子束曝光显影工艺模拟技术。

关键词： 电子束曝光 电子抗蚀剂 电子散射效应

作者: 陈宝钦 刘明 任黎明

作者单位: 中国科学院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 262～265

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）