常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究

摘要：

介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备，用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明：在4英寸硅片表面涂上9912光刻胶，用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min，测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间的变化关系；并对离子注入(B+，5×1015)后的光刻胶进行了清洗实验，得到清洗速率为300nm/min。清洗后的电镜分析证明，经等离子体清洗后，硅片表面无损伤、无残胶。

关键词： 常压射频低温冷等离子体 清洗光刻胶 工艺实验 等离子体清洗 硅片

作者: 李海江 王守国 赵玲利 叶甜春

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京650信箱,100010

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004中国集成电路产业发展研讨会暨第七届中国半导体行业协会集成电路分会年会

会议地点: 江苏无锡

会议语种:中文

页码: 130-133

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）