二维半导体中微波辐射引起的磁阻振荡
一年多以前，人们惊奇地发现：在相当弱的磁场中，并不太强的微波辐照就可以使二维半导体的磁阻产生强烈的振荡，振幅的最大值可超过无辐照磁阻值的十几倍，最小值可以一直降到零。全世界众多的凝聚态物理学家争相聚焦到这个领域，进行了许多实验和理论研究，企图弄清这一意外发现的机理。经过一年多的努力，人们已经掌握了这个现象更多的细节，对其物理机制也有了初步了解。但深入的实验和理论探索可能还要继续相当一段时间。本文对这个物理现象及相关的理论模型，尤其是目前得到较多赞同的光子辅助磁输运模型，作一简单的介绍。
二维半导体 磁阻振荡 零电阻态 光子辅助散射 微波辐射
雷啸霖
上海交通大学,200030
国内会议
北京
中文
331-336
2004-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）