新型HfO2高K栅介质及其集成工艺研究

摘要：

提出了一种具有极高热稳定性的新型金属栅/高K栅介质结构-HfN/HfO2栅结构。利用所提出的具有极高热稳是性的HfN/HfO2栅结构，结合Si表面氮化技术，制备了世界上等效氧化层厚度(EOT)取薄的HfO2高K栅介质(EOT-0.65nm)；利用HfN/HfO2栅结构技术成功制备了EOT<1nm的NM0SFET，其沟道电子有效迁移率性能优于国际上己发表的同类器件结果；提出一种新的双金属栅/高K栅介质与CMOS器件集成工艺，可满足低压低功耗CMOS器件集成需要。

关键词： 高K栅介质 集成工艺 金属栅 CMOS器件

作者: 康晋锋

作者单位: 北京大学微电子研究院,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国科学院技术科学论坛第十、十一次学术报告会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 223-231

在线出版日期: 2004-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）