半导体光电子器件及其集成技术
本文从以下两方面介绍作者的研究成果：1)发明了吸收光栅与增益光栅结构，从而实现了前人曾经在理论上预见具有单模工作特性、在城域光纤通信网等领域极有应用价值的增益耦合分布反馈(DFB)半导体激光器。在此基础上，将增益耦合DFB激光器与电吸收调制器单片集成并提出了激光器与调制器共用一个外延层的集成结构，成功研制了2.5 Gb/s DFB激光器/电吸收调制器集成器件的模块。整体水平与国际同类产品水平相当，集成光源的管芯水平已经可以满足10 Gb/s高速传输的需要。上述工作为光纤通信提供了新一代优秀光源。2)GaN高亮度蓝色发光二极管在信息显示以及半导体照明中有着巨大应用价值。基于干法刻蚀技术刻蚀后的GaN材料表面平整度为国际文献报道最好水平。研制的GaN蓝光LED的发光波长，发光光谱半宽在O-120 mA注入电流范围内基本不变，优于国际文献报道水平。在国内率先报道并展示了自主研制的功率型倒装芯片LED及其灯具。
增益耦合 电吸收调制器 集成光源 分子束外延 半导体激光器
罗毅
清华大学电子工程系;集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
国内会议
北京
中文
215-222
2004-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）