会议专题

铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性

研究了在有氧气存在的条件下碳化硅砖的抗腐蚀情况,测定了在不同温度下碳化硅砖在氧气流中的抗氧化情况,发现在850℃和750℃时的氧化情况差别不大,但明显好于950℃时的氧化情况.观察了试样在950℃时的动态腐蚀情况,发现在有氧气存在的条件下,碳化硅砖在电解质中的腐蚀速度明显加快.因此认为在750~850℃的低温电解是新型惰性电极电解槽的首选工艺.

碳化硅砖 铝电解槽 绝缘侧壁材料 耐蚀性能 抗氧化

王兆文 高炳亮 赵冰洋 邱竹贤

东北大学材料与冶金学院,辽宁 沈阳 110004

国内会议

2004年有色金属冶金及材料第二届国际学术会议

沈阳

中文

366-370

2004-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)