物理热蒸发法制备硅纳米线及硫化镉晶须的研究
利用物理热蒸发法在不同的工艺条件比如环境压力、气体流量、沉积温度下制备硅纳米线及硅微米晶须,并在此基础上添加外加电场制备硫化镉晶须及定向排列生长的硅纳米线.借助扫描电子显微镜(SEM),x射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)分析硅纳米线的形貌、化学成分及晶体结构,研究制备工艺对硅纳米线及硅微米晶须生长的影响,分析外加电场对硫化镉晶须和硅纳米线定向排列生长的影响. 研究结果表明:1)环境压力越低,硅纳米线及硅微米晶须定向排列生长的取向性越好;2)气体流量适当增大,硅纳米线由弯曲变为直线生长,相互缠绕的现象不明显;3)沉积温度不但影响硅纳米线的直径,而且对其生长过程也有影响.4)外加电场大大促进了硫化镉晶须和硅纳线沿一维方向上的生长,这可以由带电团簇模型来解释.
硅纳米线 硫化镉晶须 物理热蒸发法 制备工艺
严文 范新会 于灵敏
西安工业学院 材料与化工学院,陕西 西安 7100320
国内会议
江苏无锡
中文
54-60
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）