基于阈值电压的P-Si TFT模型研究进展

摘要：

基于阈值电压的P-Si TFT分区模型是目前主要的P-Si TFT模型。本文首先对目前基于阈值电压的p-Si TFT模型研究现状进行了分析,在此基础上重点介绍了三种典型的已用于电路仿真器中的SPICE模型：RPI模型、S-TFT模型与I. Pappas模型，对当前的建模工作进行了总结与展望。

关键词： 薄膜晶体管 阈值电压 器件测试 仿真模型

作者: 欧秀平 姚若河

作者单位: 华南理工大学微电子所,广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 347-350

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）