LDMOS全耗尽漂移区的电流计算方法

摘要：

本文提出了一个基于表面势的耗尽层电流计算新方法，由于LDMOS结构的特殊性,其漂移区电流受到源漏栅电势的综合影响,难以确定。在现有的诸多模型中,常常将等漂移区等效为电阻,但这并不符合耗尽层电流传输的原理。本文从分析耗尽层载流子传输原理入手,得出了漂移区全耗尽时的电流公式。该公式可用于LDMOS的器件建模中。

关键词： 集成电路 芯片设计 漂移区电流 源漏栅电势

作者: 靳辉 李斌

作者单位: 华南理工大学电子信息学院微电子研究所 广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 234-237

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）