基于0.5μm CMOS工艺的高压器件研究

摘要：

近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点，相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛。本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用N-WELL和N管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压NMOS、PMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm N-well CMOS工艺中。测试结果表明,高压大电流的NMOS管BVdssn达到23V～25V,P管击穿BVdssp＞19V。

关键词： 集成电路 高压器件 芯片设计 CMOS工艺

作者: 赵文彬 孙锋 于宗光

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035 中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035 中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 204-208

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）