GaAs PHEMT器件栅金属下沉效应及其对性能的影响

摘要：

本文阐述了GaAs PHEMT器件的一种主要失效机理——栅金属下沉效应，介绍了栅金属下沉的研究现状和常见研究方法，详细探讨了高温加速寿命试验下,GaAs PHEMT器件栅金属下沉的物理机制以及其对器件性能参数的影响。GaAs PHEMT器件的栅金属下沉主要是由于Ti/Pt/Au栅中的Ti向AlGaAs肖特基势垒层扩散引起的,从而使得栅与InGaAs沟道层间的距离减小,最终影响器件的典型DC特性和RF特性。

关键词： 集成电路 功率器件 栅金属下沉 可靠性分析

作者: 许燕 黄云 邓文基

作者单位: 华南理工大学物理科学与技术学院,广东 广州 510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东 广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东 广州 510610 华南理工大学物理科学与技术学院,广东 广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 107-111

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）