铜—低k集成技术的失效模式及失效分析

摘要：

随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要。新技术和新工艺的引入,使得Cu互连的可靠性问题出现了新的特征,给器件失效分析时带来了新的挑战。本文讨论了与铜/低k技术有关的失效模式,及与铜互连结构特点相对应的失效分析技术。

关键词： 集成电路 引线互连 器件失效 失效分析

作者: 林晓玲 章晓文

作者单位: 信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610 华南理工大学 电子与信息学院微电子研究所广州 510640 信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 99-102

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）