偏置条件对PMOS器件X射线总剂量效应的影响

摘要：

辐射偏置条件是影响MOSFET总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10keV X射线对PMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响。实验结果表明,对于PMOSFET而言,低剂量条件下,ON偏置条件是最优偏置条件,PG偏置条件是最劣偏置条件，在高剂量条件下,ON偏置条件是最劣偏置条件,ZERO偏置条件是最优偏置条件。

关键词： 场效应器件 电磁辐射 辐射偏置 阈值电压

作者: 何玉娟 师谦 罗宏伟 章晓文

作者单位: 信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 86-89

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）