ESD应力下多指条MOS器件的栅过耦合效应及对策

摘要：

ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时会过高,出现栅过耦合效应,这降低了器件的抗ESD能力。在栅端加钳位元件的方法可以有效避免栅过耦合效应,另外,采用衬底触发技术可以完全避免栅过耦合效应。

关键词： 场效应器件 栅耦合技术 耦合效应 静电释放

作者: 石晓峰 罗宏伟 李斌

作者单位: 华南理工大学 物理科学与技术学院,广东 广州 510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东 广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东 广州 510610 华南理工大学 物理科学与技术学院,广东 广州 510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 77-80

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）