PMOSFET中NBTI效应的寿命评价

摘要：

本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSFET的NBTI寿命的因素主要有：应力时间t,应力温度T,负栅压应力Vgs,器件结构参数如沟道宽度W,沟道长度L。基于试验测量的结果,得到了阈值电压漂移量△Vth的寿命评价表达式,用来预测器件中由NBTI效应限制的寿命。

关键词： 场效应器件 阈值电压 电压漂移 器件寿命

作者: 黄勇 恩云飞 章晓文

作者单位: 广东工业大学材料与能源学院,广州 510006 信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610 信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 73-76

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）