MOSFET迁移率随温度变化关系研究

摘要：

本文介绍了MOSFET迁移率对器件性能的影响,并通过实验得出全温区(-55℃～125℃)范围内迁移率的变化情况，总结出了MOSFET迁移率随温度变化的规律,计算出了相关的变化量。对载流子迁移率的变化机理进行了详细的说明,进一步解释了迁移率随温度变化的原因。

关键词： 场效应器件 全温区环境 载流子迁移

作者: 齐领 恩云飞 章晓文

作者单位: 广东工业大材料学院 广州 510006 电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实验室 广州 510610 电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实验室 广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 70-72

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）