VDMOS的分栅和虚拟栅结构

摘要：

栅结构在某种程度上决定VDMOS器件的频率特性和耐压等基本性能.本文设计并研究了VDMOS器件的分栅结构和虚拟栅结构.通过模拟和器件仿真可以得出,分栅结构可以使得栅与衬底的叠加长度变小,从而减小栅氧化层电容Cox为传统结构的62％:而虚拟栅结构可以很大程度地减小漏栅反馈电容Crss,使其接近于零,同时击穿电压可以提高近21％.

关键词： 虚拟栅 频率特性 分栅结构 器件仿真 击穿电压 双扩散MOS器件

作者: 张方媛 李德昌

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 256-260

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）