SOI LDMOS功率晶体管自加热分析

摘要：

阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。

关键词： 自加热效应 功率晶体管 工艺参数

作者: 李家贵 李德昌

作者单位: 西安电子科技大学技术物理学院,陕西 西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 242-247

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）