InGaAs/Si雪崩光电二极管的研究

摘要：

设计了一种新型结构的InGaAs/Si雪崩光电二极管(APD),这种结构将光吸收区(InGaAs)和Si的P-N结分开,由光吸收区入射的载流子在Si倍增层得到放大,从而可以得到灵敏度极高的探测器.InGaAs与Si通过键合技术连接到一起,优化InGaAs/InP和Si外延片的物理化学清洗及键合条件,制备得到的InGaAs/Si材料界面质量良好,可用于制备高带宽、高灵敏度的应用于长波长光通信接收系统的接收机.

关键词： 雪崩光电二极管 键合 物理化学清洗 界面质量 光通信 接收系统

作者: 彭红玲 郑婉华 陈良惠 石岩 渠红伟 杨国华 何国荣

作者单位: 中国科学院半导体研究所 北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 237-241

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）