Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较

摘要：

本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现,两种不同结构的探测器的I-V特性和光谱响应特性具有不同的特征,在实际应用中应结合这些特征,根据具体需要选择其中的某种结构.

关键词： 紫外探测器 光谱响应特性 器件特性

作者: 张爽 杨辉 赵德刚 刘宗顺 朱建军 张书明 段俐宏 刘文宝 孙苋 江德生

作者单位: 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 204-210

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）