快速退火的保温时间对射频磁控溅射制备的Bi:YIG在太赫兹频段损耗的影响

摘要：

用JGP200磁控溅射仪在射频功率为90W、氩气压强为0.8Pa、氩气流速为5sccm,衬底温度350℃等条件下用16h在单晶高纯高阻本征硅(111)基片上制备了Bi:YIG薄膜,再在AG4100型快速退火炉以较快的升温速度(30℃/s)快速升至700℃,保温时间分别为20s、90s、300s和600s,再快速冷却至室温.制备的Bi:YIG薄膜样品经太赫兹时域谱测试系统测试,将时域谱信号经快速傅立叶变换后转为频域谱信号分析得知经300s退火的样品在0-2THz频段损耗最小.

关键词： 射频磁控溅射 快速退火 保温时间 太赫兹时域谱 薄膜样品 傅立叶变换

作者: 李胜 张怀武 文歧业 彭龙 凌味未 沈健

作者单位: 电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 176-180

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）