b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜的介电性能

摘要：

采用脉冲激光沉积技术,在MgO(100)衬底上制备了b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜,重点研究了其介电性能.结果表明,在衬底温度973K、氧分压12.5Pa条件下成功获得了高b轴择优取向、表面平整、结晶良好的BaTi2O5薄膜.该薄膜具有较高的居里温度(750K),100kHz频率下介电常数达2000,而且随温度的升高,其导电性提高,活化能约为1.25eV.

关键词： 介电性能 脉冲激光沉积 衬底温度 居里温度 介电常数 薄膜性能

作者: 李凌 王传彬 王芳 沈强 张联盟

作者单位: 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 124-127

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）