氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

摘要：

利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅薄膜.采用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜(AFM)测试技术对薄膜的沉积速率、折射率、表面形貌等性质进行了测量。结果表明:采用ECR-PECVD技术能够在较低的温度下以较高的沉积速率(沉积速率达到11nm/min)沉积质量较好的薄膜.制备的薄膜表面质量较高,且粗糙度随着沉积温度和微波功率的增加而降低。

关键词： 氮化硅薄膜 沉积速率 表面形貌 电子回旋共振 化学气相沉积 等离子体增强

作者: 张广英 吴爱民 秦福文 公发全 姜辛

作者单位: 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁 大连,116024 大连化学物理研究所,辽宁 大连 116023 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁 大连,116024 德国锡根大学材料工程学院,德国 锡根 57056

会议类型: 国内会议

会议名称: 第11届全国固体薄膜会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 35-39

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）