磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT

摘要：

本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率富家小率分别达到了6.56dB和39.2％.

关键词： 磁控溅射 高电子迁移率晶体管 MIS结构 场板结构

作者: 任春江 陈堂胜 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 207-211

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）