4H-SiC功率MESFET台面光刻技术研究

摘要：

本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长时间,通常金属掩膜又会带来微管、缺陷及不易处理等一系列问题。利用GaAs背孔工艺刻蚀掩膜,用作4H-SiC台面刻蚀掩膜,得到良好的4H-SiC台面刻蚀表面.

关键词： 碳化硅 光刻胶技术 台面掩膜

作者: 冯忠 王雯 陈刚 李哲洋 柏松 蒋幼泉

作者单位: 南京电子器件研究所射频集成电路制造部,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 187-189

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）