NMOS器件ESD特性模拟
NMOS管I-V曲线在ESD脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。本文通过采用SILVACO软件,对不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使SiO2峰值场强增强,结峰值场强减弱,VH减小,VB减小,晶格温度降低；增加场注入剂量对各参数影响不明显；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。文章认为，NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
集成电路 MOS器件 脉冲电流 静电释放
郑若成 孙峰 吴金
无锡微电子科研中心,江苏 无锡 214035 东南大学集成电路学院,江苏南京 210096
国内会议
广州
中文
51-55
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）