超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究

摘要：

本文对超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性进行了研究。在超高总剂量辐射下,SOI NMOS的阈值电压并没有出现“反弹”现象,原因可能和具体的工艺有关，而SOI器件的漏电则主要来自于前栅的界面态的影响,单纯的对埋层SiO2进行加固并不能有效提高SOI MOS器件的抗超高总剂量辐射性能。

关键词： 集成电路 SOI器件 电磁辐射 阈值电压

作者: 洪根深 肖志强 高向东 何玉娟 徐静 陈正才

作者单位: 中国电子科技集团第五十八研究所,江苏无锡 信息产业部第五研究所,广东广州

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 48-50

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）