中带电压法分离MOSFET氧化层陷阱电荷与界面态电荷

摘要：

本文讨论了MOSFET氧化层陷阱电荷和界面态电荷分离的几种方法,重点介绍了其中的中带电压法,并指出应用中带电压法进行电荷分离时中带电压的选取是其中的一个关键,利用中带电压法开发了分离氧化层陷阱电荷与界面态电荷的程序。试验结果表明：随着总剂量的增加,阈值电压下降,对应的氧化层陷阱电荷和界面态电荷增加,它们的变化规律与理论基本吻合。

关键词： 微电子学 陷阱电荷 电荷分离 集成电路

作者: 潘志坚 恩云飞 邓文基 罗宏伟 何玉娟

作者单位: 华南理工大学微电子所,广东广州,510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州 510610 华南理工大学微电子所,广东广州,510640

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届青年学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 44-47

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）