晶面翘曲对HVPE厚膜GaN三轴晶X射线摇摆曲线的影响
X射线摇摆曲线的半高宽(XRC-FWHM)通常用来表征晶体质量。X射线摇摆曲线的宽度主要是由缺陷造成的加宽和包括晶面翘曲造成的加宽在内的各种因素作用的结果.在没有翘曲或者翘曲不严重的情况下,XRC-FWHM能够准确的表征晶体的缺陷情况,但当晶面翘曲很严重时,晶面翘曲造成的加宽可以和缺陷造成的加宽相当.特别对于蓝宝石衬底上的HVPE厚膜GaN,晶面翘曲已经很严重,XRC-FWHM已经不再能够准确的表征晶体的缺陷情况.本文讨论了晶面翘曲效应对2英寸(0001)取向的蓝宝石衬底HVPE厚膜GaN三轴晶XRC-FWHM的影响以及如何在翘曲严重的情况下减小翘曲影响,更加准确的表征晶体的缺陷情况.理论和实验表明,X射线线宽减小能减小翘曲对称衍射XRC-FWHM的半高宽的影响,但是对于曲率半径很小(-1m)的GaN晶片,即使使用最窄狭缝限束,这种加宽效仍然显著,继续采用(0002)面和(10-12)面的半高宽估算GaN的位错密度存在很大误差,而晶面翘曲加宽还与布拉格角有关,(0006)面和(20-24)面XRC-FWHM能更加准确的表征晶体质量,估算的螺位错和刃位错的位错密度.随着GaN晶体质量的提高,翘曲引起的效应越来越值得关注.
曲率半径 晶面翘曲 X射线摇摆曲线 晶体质量 布拉格角
刘建奇 王建峰 黄凯 张育民 胡晓剑 徐俞 徐科 杨辉
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 测试分析平台 215125
国内会议
杭州
中文
102-107
2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）